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電子元器件所（suǒ）能承受的靜電破壞的電壓是多少

更新時間：2019-01-04 點擊次數：14727

電子器件（jiàn）所能承受靜電破壞的靜電電壓是多少，相信大家都不知道吧，下麵我們（men）就一起來看看吧。

以下是一些參考資料中給出的數（shù）據：

器件類型	靜電破壞電壓(V)	器件（jiàn）類型	靜電破壞電壓(V)
VMoS	30～1800	OP-AMP	190～2500
M0SFET	100～200	JEFT	140～1000
GaAsFET	100～300	SCL	680～1000
PROM	100	STTL	300～2500
CMoS	250～2000	DTL	380～7000
HMOS	50～500	肖特基二極管	300～3000
E／DMOS	200～1000	雙極型晶體管	380～7000
ECL	300～2500	石英壓電晶體	＜10000

從（cóng）上表可見大部分器件的靜電破壞電（diàn）壓都在幾百至幾千伏，而在幹燥的（de）環境中（zhōng）人活動所產（chǎn）生的靜電可達幾千伏到幾（jǐ）萬伏。

要想獲得某個元器件的所能能承受的靜（jìng）電電壓要通過試驗才（cái）能測得。按照國內標準，一般（bān）使用靜電放電敏感度測試儀：

電子元器件靜電敏感度（dù）的試驗主（zhǔ）要用ESS-6008/ESS-6002半導體靜電放電模擬試驗器，而用電子元（yuán）器件組（zǔ）裝成組件、整（zhěng）機的電子設備靜電試驗則用（yòng）ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗器來做試驗。

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