開（kāi）關電源電磁兼容設（shè）計（jì）經驗談
更（gèng）新時（shí）間：2022-03-29 點（diǎn）擊次數：1814
隨著電力電子技術的（de）發展，開關電源模塊因（yīn）其相對體積小（xiǎo）、效率高、工作可靠等優（yōu）點（diǎn）開始取代傳統整流電源而被廣泛應（yīng）用到社會的各個領域。但由於開關電源工作（zuò）頻率高，內（nèi）部產生很快的電流、電壓變化，即dv/dt和（hé）di/dt，導致開關電源模塊將產生較強（qiáng）的諧波（bō）幹擾和尖峰幹擾，並通過傳導、輻射和串擾等耦合途徑影響自身電路及其它電子係統的正常工作，當然（rán）其本身也會受到其它電子設備電磁幹擾的影響（xiǎng）。這就（jiù）是所（suǒ）討論（lùn）的（de）電磁兼容性問題，也是關（guān）於開關電源電磁兼（jiān）容的電磁騷（sāo）擾EMD與電磁（cí）敏感度EMS設（shè）計問題。由於國家開始對部分電子產品強製實行3C認證，因（yīn）此一個電子設備（bèi）能（néng）否滿足電（diàn）磁兼容標準，將關係（xì）到這一產（chǎn）品能否在市場上（shàng）銷售，所以進行（háng）開關電源的電磁兼容性研究顯得非常重要
電磁兼容學是一門綜合性（xìng）學科，它（tā）涉及的理論包括數學、電（diàn）磁場理（lǐ）論（lùn）、天線與電波傳播、電路理論、信號（hào）分（fèn）析、通訊理論、材（cái）料科學、生物醫學等。進行開關電源的電（diàn）磁（cí）兼容性設計（jì）時，首先（xiān）進行一個係統設計，明確以下幾點：1. 明（míng）確係（xì）統要滿足的電磁兼容標準;2. 確定係統內的關（guān）鍵電路部（bù）分，包括強幹擾源電路、高度敏感電路;3. 明確（què）電源設備工作（zuò）環境中的電磁幹（gàn）擾源及敏感設備;4. 確（què）定對電源設備所要采取的電磁兼容性措施。在開關電源中常使用工頻整（zhěng）流（liú）二極管、高頻整流二極管（guǎn）、續流二極管等，由於這些二極管都工作在開關狀態，如圖所示，在二極管由阻斷狀態到導通工作過程中（zhōng），將產生一個很高的電壓尖峰VFP;在二極管由導通狀（zhuàng）態到阻斷工作過程中，存在（zài）一個反向恢複時（shí）間trr，在反向恢複過（guò）程中，由於二極管封裝電感及引（yǐn）線電感的存在，將產生一個反向電壓尖峰VRP，由於少子的存儲與複合效應，會產生瞬變的反向恢複電流IRP，這種（zhǒng）快速的電流、電壓（yā）突變是電磁幹擾產生的根（gēn）源。二極管反向恢（huī）複時電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形二極管（guǎn）反（fǎn）向恢複時電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形在正激式、推挽式、橋式變換器中，流過開關管的電流波（bō）形在阻性負載時近似矩形波，含有豐富的高頻成（chéng）分（fèn），這些高頻諧波（bō）會（huì）產生很強的電磁幹擾，在反激變換器中，流過開關管的電（diàn）流波形在阻性負載時近似三角波，高次諧波（bō）成分相對較（jiào）少。開關管在開通時，由於（yú）開關時間很短（duǎn）以及逆變回路中引線電感的存在，將產生（shēng）很大的dV/dt突變和很高（gāo）的尖峰電壓，在（zài）開（kāi）關管的（de）關斷時，由於關斷時間很短，將產生很大的（de）di/dt突變和很高的電流尖峰，這些電流、電壓（yā）突變將產生很強的電磁（cí）幹擾。3.電感、變壓器等磁性元件引起的電磁幹擾：在開關電源中存（cún）在輸入濾波電感（gǎn）、功率變壓器、隔離變壓器、輸出濾波電感等磁性元（yuán）件，隔（gé）離變壓器初次級之間存在寄（jì）生電容，高頻幹擾（rǎo）信號通過寄生電容耦合到次邊;功率變壓器由於繞製工藝等原因，原次邊耦合不理想而存在漏感，漏電感將產生電磁輻（fú）射（shè）幹擾，另外功率變壓器線圈繞（rào）組流過高頻脈衝電流，在周圍形成高頻電磁場;電（diàn）感線圈中流過脈動電流會產生電磁場輻射，而且在負載突切時，會（huì）形成電壓（yā）尖峰，同時當（dāng）它工作在（zài）飽和狀態時，將會產生電（diàn）流突變，這些都會引起電磁幹擾。4.控製電路中周期性的高頻脈衝信號如振蕩器產生的高頻（pín）脈（mò）衝信號等將產生高頻高（gāo）次諧波，對周圍電（diàn）路產生電磁（cí）幹（gàn）擾。5.此外電路中還會有地環路（lù）幹擾、公共（gòng）阻抗耦合幹擾，以及控製電源噪聲幹擾等6.開關電源中的布線設計非常（cháng）重要，不（bú）合理布線將使電磁幹擾通過線線（xiàn）之間（jiān）的耦合電容和分布互感串擾或輻射到（dào）鄰近導線上，從而影響其它電路的正常工作。7.熱輻射產生的電磁（cí）幹擾，熱輻射是以電磁波的形式進行熱交換，這種電磁幹擾影響其它（tā）電子元器件或電路的正常穩定工作。對於某一電子設備，外界對其產生影響的電磁幹擾（rǎo）包括：電網中的諧波幹擾、雷電（diàn）、太陽噪聲、靜電放電（diàn），以及周圍的高頻發射（shè）設備引（yǐn）起的幹擾。電磁幹擾將造成傳輸信號畸變，影響設備的（de）正常工作。對（duì）於（yú）雷電、靜電放電等高能量的電磁幹擾，嚴重時會損壞設備。而對於某些設備，電（diàn）磁輻射會引起重要信（xìn）息的泄漏。了解了開關電源內部及外部電磁幹擾源後，我們還應知道，形成電磁幹擾機理的三要素是（shì）還有傳播途徑和受（shòu）擾設（shè）備。因此開關電源的電磁兼容設計主要從以下三個方（fāng）麵入手：1，減小幹（gàn）擾（rǎo）源的電磁幹擾能量;2，切（qiē）斷幹（gàn）擾傳播途徑;3，提高受擾設備的抗幹擾（rǎo）能力。正確了解和把握開關電源的電磁幹擾源及（jí）其產生機理和幹擾（rǎo）傳播途徑，對於采取（qǔ）何種抗幹擾措施以使設備滿足電磁兼容要求非常（cháng）重要。由於幹擾源有開關電源內部產生的幹擾源和外部的幹擾源，而（ér）且可以說幹擾源無法消除，受擾設（shè）備也總是存在，因此可以說電磁兼容問題總是存（cún）在。下麵以隔離式DC/DC變（biàn）換器為（wéi）例（lì），討論開關電源的電磁兼容性設計：如圖所示，FV1為瞬態電壓抑製二極管，RV1為壓敏電阻，都具有很強的瞬變浪湧電流（liú）的吸收能力，能很好的保護後級元件或電路（lù）免遭浪湧電壓的破壞。Z1為直流EMI濾波器，必須良（liáng）好接地，接地線要短，最好直接安裝在金屬外殼上，還要保證其輸入、輸出線之間的屏（píng）蔽隔離，才能有效的切（qiē）斷傳導幹擾沿輸入線的傳播和輻射幹擾沿空間的傳播。L1、C1組成低通濾波電路，當L1電感值較大時，還需增加如圖所示的V1和R1元件（jiàn），形成續流回路吸收L1斷開時釋放的電場能，否則L1產生的（de）電壓尖峰就會形成電磁幹擾，電感L1所使用的磁芯最好為閉（bì）合（hé）磁芯，帶（dài）氣（qì）隙（xì）的開環磁芯的漏磁場會（huì）形成電磁幹擾，C1的容量較大為好，這樣可以減小輸（shū）入線上的紋波電壓，從而減小輸（shū）入導線周圍形成的電磁場。2.高（gāo）頻逆變電路的（de）電磁兼（jiān）容設計，如圖所示，C2、C3、V2、V3組成的半橋逆變電路，V2、V3為IGBT、MOSFET等（děng）開關元（yuán）件，在V2、 V3開通（tōng）和關斷時，由於開（kāi）關時間很快以及引線電感、變（biàn）壓器漏感的存在，回路會產生較高（gāo）的di/dt、dv/dt突變，從而形成電磁幹擾，為（wéi）此在變壓器原邊兩端增加R4、C4構成的吸收回路，或在V2、V3兩端分別並聯電容器C5、C6，並縮短引線，減小ab、cd、gh、ef的引線電感（gǎn）。在設計中，C4、 C5、C6一般采用低感電容，電容器容量的大小（xiǎo）取決於引線電（diàn）感量、回路中電流值以及允許的過衝電（diàn）壓值的大小，LI2/2=C△V2/2公式求得C的大小，其中L為回路電感，I為回路電（diàn）流，△V為過衝電壓值。為減小△V，就必須減小回路引線電感值，為此在設計時常（cháng）使用一種叫“多層低（dī）感複合母排"的裝置，由我（wǒ）所申請專.利.的該（gāi）種（zhǒng）母排裝置能將回路電感降低到足夠小，達10nH級，從而達到減小高頻逆變回路電磁幹擾的目的（de）。開關管（guǎn）電流、電壓（yā）波形比較圖（tú）從電磁兼容性設（shè）計角度考慮，應（yīng）盡（jìn）量降低開關管V2、V3的開關頻率，從而降低di/dt、dv/dt值。另外使用ZCS或ZVS軟開關變換技術（shù）能（néng）有效降低高頻（pín）逆變回路的電磁幹擾。在大電（diàn）流或高電壓（yā）下的快速開關動作是產生電磁噪聲的根本，因此盡可能選用產生電磁噪聲小的電路拓撲，如在同等條件下雙管（guǎn）正激拓撲（pū）比單（dān）管正激（jī）拓撲產生電磁噪聲要小，全橋電路比半橋電路產生電磁噪聲要小。如圖（tú）所示增加吸收電（diàn）路後開關管上的電流、電壓波（bō）形與沒有吸收回（huí）路時的波形比較。在（zài）高（gāo）頻變壓器T1的設計時，盡量選用電磁屏蔽性較好的磁芯材料。如圖所示，C7、C8為匝間耦合電路，C11為繞組間耦合電容，在變壓器繞製時，盡量減小分布電容C11，以減小變（biàn）壓器（qì）原邊的高頻幹擾耦合到次邊繞組。另外為進（jìn）一步減小電磁幹（gàn）擾（rǎo），可在原、次邊繞組間增加一個屏蔽（bì）層（céng），屏蔽層良好接地，這樣變壓器原、次（cì）邊繞組對屏蔽層間就（jiù）形成耦合（hé）電容C9、C10，高頻幹擾電流就通過C9、C10流到大地。由於（yú）變壓（yā）器是一個發熱元件，較差的散（sàn）熱條（tiáo）件（jiàn）必然導致（zhì）變壓器（qì）溫度升高，從而形成熱輻射，熱（rè）輻射是以電磁波形式對外傳播，因此變（biàn）壓器必須有很（hěn）好的散熱條件。通常將高頻變壓器封裝在一個鋁殼盒內，鋁盒還可安裝在鋁散熱器上，並灌注電子矽膠，這樣（yàng）變壓器即可（kě）形成較好的（de）電磁屏蔽，還可保證（zhèng）有較好的散熱效果，減小電磁輻射。5. 輸出整（zhěng）流（liú）電路電磁兼（jiān）容設計（jì）如圖所示為輸（shū）出半波整流電路，V6為整流二極管，V7為續流二極管，由於V6、 V7工作於高頻開關狀態，因此輸出（chū）整流電路的電磁幹擾源主要是V6和V7，R5、C12和R6、C13分別連接成V6、V7的吸收電（diàn）路（lù），用於吸收其開關動作時產生的電壓尖峰，並以熱的形式在R5、R6上消耗。減少整流二極管的數量就可減小電磁（cí）幹（gàn）擾的能量，因此同等條件下，采用半波整（zhěng）流（liú）電（diàn）路比采用全波整流和全橋整流產生的電磁幹（gàn）擾要（yào）小。為減（jiǎn）小（xiǎo）二極管的電磁幹擾，必須選用具有軟恢複特性的、反向（xiàng）恢複電流小、反向恢（huī）複時（shí）間短的二極管器件。從（cóng）理論上講，肖特基勢壘二極管（guǎn）(SBD)是多數載流子導流，不存在少子的存（cún）儲與複合效應（yīng），因而也就（jiù）不會有反向電壓（yā）尖峰幹擾，但實際上對於較高反向工作電壓的肖特（tè）基二極（jí）管，隨著電子勢壘厚度的增加，反向恢複電流會增大，也會產生電磁噪聲。因此（cǐ）在輸出電壓（yā）較低的情況下選用肖特基二極管作直流（liú）二極管產生的電磁幹擾會比選用其它二極管器件要小（xiǎo）。輸出直流濾波電路主要用於（yú）切斷電磁傳導幹擾沿導線向輸出負載端傳播，減小電磁（cí）幹擾在導線周圍的電磁輻（fú）射。如圖（tú）所示，L2、C17、C18組成的LC濾波電路（lù），能減小輸出電流、電壓紋波的大小，從而減小通過輻射傳播的電磁幹擾，濾波電容C17、C18盡量采用（yòng）多個電容並聯，減小等效（xiào）串聯電阻，從而減小（xiǎo）紋波電壓，輸出電感（gǎn）L2值盡量（liàng）大，減小輸出（chū）紋波電流的大小，另（lìng）外電（diàn）感（gǎn）L2最好使（shǐ）用不（bú）開氣隙的（de）閉環（huán）磁芯，最好不是飽和電感。在設計時，我們要記住，導線上有電流、電（diàn）壓的變化，在導線周圍就有變化的電磁場（chǎng），電磁場就會沿空間傳播形成電磁輻射。C19用於濾除導線上的共模幹擾，盡量選用低感電容，且（qiě）接線（xiàn）要短（duǎn），C20、C21、C22、C23用於濾除輸（shū）出線上的差模（mó）幹擾，宜選（xuǎn）用低感的三端電容，且接地線要短，接地可靠。Z3為直流EMI濾波器，根據情況使（shǐ）用或不使用，是采用單級還是多級濾波器，但要求Z3直接安裝在金屬機箱上，最好濾波器輸入、輸出線能屏蔽隔離。7. 接觸器、繼電（diàn）器等其它開關器件電磁兼（jiān）容設計繼電器、接觸器、風機等在掉電後，其（qí）線圈將產生（shēng）較大的（de）電（diàn）壓尖（jiān）峰，從而產生電磁幹擾，為此在直流線圈兩端反並聯一個二極管（guǎn）或RC吸（xī）收電（diàn）路，在交流線圈兩（liǎng）端並聯一個壓敏電阻用於吸收線圈掉（diào）電後產生的電壓尖峰。同時要注意如果接觸（chù）器線圈電源與輔（fǔ）助電源的輸入電源為同一個電源，之間最好通過一（yī）個EMI濾波器。繼電（diàn）器觸頭動（dòng）作時也將產生電磁幹擾，因此要在觸頭兩端增加RC吸收回路。8. 開（kāi）關（guān）電源箱體結構的電磁兼容設計材料選擇：沒有（yǒu）“磁（cí）絕緣"材料，電磁屏蔽（bì）是（shì）利用“磁短路"的原理，來切斷電磁幹擾在設備內部與外界空（kōng）氣中的傳播路徑。在進行開（kāi）關電源的箱體（tǐ）結構設計時（shí），要（yào）充分考（kǎo）慮對電磁幹擾的屏蔽（bì）效能，對於屏蔽材料的選擇原則是，當幹擾電磁場的頻率較（jiào）高時，選用（yòng）高電（diàn）導率的（de）金屬材料（liào），屏蔽效果較好;當幹（gàn）擾電磁波的頻率較低時，要采（cǎi）用高導磁率（lǜ）的（de）金（jīn）屬（shǔ）材料，屏蔽效果較好;在某些場合下，如果要求對高頻和低頻電磁場都具有良好的屏蔽效果時，往往采用高電導率和高導磁率的金屬材料組成多層屏蔽體。孔洞、縫隙、搭（dā）接處理方法：采用電磁屏蔽方法無需重新設（shè）計（jì）電路，便可達到很好的電磁兼容效果。理想的電磁屏蔽體是一個無縫隙、無孔洞、無透入的（de）導電連（lián）續體，低阻抗的金屬密封體，但是一個*密（mì）封的屏蔽體是沒有實用價值的，因為在（zài）開關電源設備中，有輸入（rù）、輸出線過孔、散熱通風孔等（děng）孔洞，以及箱體結（jié）構部件之間的搭接縫隙，如果不采取措施將會產生電磁泄漏（lòu），使箱體的屏蔽效能降低、甚至*喪失。因（yīn）此在開關電源箱體（tǐ）設計時，金（jīn）屬板（bǎn）之間的搭接最好采用（yòng）焊接，無法焊接時（shí）要使用電磁密封墊或其它的屏蔽材料，箱體上的（de）開（kāi）孔要小於要屏蔽的電磁波的波長的（de）1/2，否則屏蔽效（xiào）果將大大降低;對於通風孔，在屏蔽要求（qiú）不高時可以使（shǐ）用穿孔金（jīn）屬板或金屬化絲網，在要求既要屏蔽效（xiào）能高，又要（yào）通風效果好時選用截至波導管等方法，提高屏蔽體的屏蔽效能。如果箱體的屏蔽效能仍無法滿足要求時，可以在箱體上噴塗屏蔽漆（qī）。除了對開關電源整個箱體的屏蔽之外，還可以對電源設備（bèi）內部的（de）元（yuán）件、部件（jiàn）等（děng）幹擾源或敏感設備進行局部屏蔽。在（zài）進行箱（xiāng）體結構設計時，針對設備上所有會受到靜電放電試驗的部分，設計出一條低阻抗的（de）電流泄放路徑（jìng），箱體必須有可靠的接地措施，並且要保證接地（dì）線的載流能力，同時將敏感電路或元件遠離這些泄放回路，或對其采用（yòng）電場屏蔽措施（shī）。對（duì）於結構件的表麵處理，一般主要電（diàn）鍍銀、鋅、鎳、鉻、錫，這需要從導電性能、電化學反應、成本及電磁兼（jiān）容性等多方麵考慮後做（zuò）出選擇。9. 元器件布局與布線中的電磁兼（jiān）容設計：對於開關電（diàn）源設備內部元器件的布（bù）局必須整體考慮電磁兼容性的要求，設備內部的幹擾源會通過（guò）輻射和串（chuàn）擾等途徑影（yǐng）響其它元件或部件的工作，研究（jiū）表明，在離幹擾源（yuán）一定距離時，幹擾源的能量將大大衰減（jiǎn），因（yīn）此合（hé）理的布局有利（lì）於減小電磁幹擾的影響。EMI輸入輸出濾波器最好安裝在金屬機箱（xiāng）的入口處，並保證其輸入（rù）線與輸出（chū）線電磁環境的屏蔽隔離。敏感（gǎn）電（diàn）路或元件要遠離發熱源。對於開關電源產品，我們一般須（xū）遵（zūn）守以下布線原則：9.2 EMI濾波器輸入線與輸出線分開（kāi）走線。9.4 高壓脈衝信號線最好分（fèn）開單獨走線（xiàn）。9.5 分開布線的原則是避（bì）免平行（háng）走線，可以垂直交叉，線束之間距離在20mm以上。9.6 電纜不（bú）要貼著金屬（shǔ）外殼和（hé）散熱器走線（xiàn），保證一定距離。9.7 雙絞線、同軸電纜（lǎn）及帶狀電纜在EMC設計中的使（shǐ）用雙絞（jiǎo）線、同軸電纜都能有效（xiào）的（de）抑製電磁幹擾。在脈衝（chōng）信號傳輸線路中常使用雙絞線，控製輔助電源線和傳感器信號線最好用雙絞屏蔽（bì）線。因為雙絞線兩根線之間有（yǒu）很小的回路麵積，而且雙絞線的每兩（liǎng）個相鄰的回路上感應出的電流具有大小相等、方向相反，產生的磁場相互抵消，這樣就（jiù）可以減小（xiǎo）因輻射引起的差模幹擾，不過雙絞線絞合的圈數最好為偶數，且每單位波長所絞合的圈數愈（yù）多，消除耦合的效果愈好。使用時注意雙絞線和同軸電纜兩端不能同時接地，隻能（néng）單端接地，而對屏蔽線（xiàn），屏蔽層兩端接地能既能屏蔽電場還能屏蔽（bì）磁場，單（dān）端接地隻能屏蔽電場（chǎng）。使用同軸電纜時還要注意，其屏蔽層必須*包覆信號線接地，即接頭與電纜屏蔽層必須 3600搭（dā）接，才能有效屏蔽電磁場，如圖所（suǒ）示，信號線裸露部分仍可以與外界形成（chéng）互容耦合，降低屏蔽效能。帶狀電纜適合於短距離的信號（hào）傳輸，我們知道為了降低差模信號的（de）電磁輻射（shè），必須減小信號線和信號回流線（xiàn）所形成的回（huí）路麵積，因此在設（shè）計帶狀電纜布局時，最（zuì）好（hǎo）將信號線與接地（dì）線間隔排列。如圖所示，其中S為信號線，G為信號地（dì）線。熱傳播的方式有傳導、對流和輻射，熱輻射是以電磁波的形式向空中傳播的，熱傳導也會向周圍其它（tā）元件傳（chuán）導熱量，這些（xiē）都會影響其它元器件或電路的正常工作，因此從元器件熱設計方（fāng）麵考慮要盡量留有較大餘量，以降低元器件的溫升及器件（jiàn）表麵的（de）溫度，除元器件對溫升有特殊（shū）要求外，一般開關電源要求內部元（yuán）件溫度小於 90℃，內部環（huán）境溫度不超過（guò）65℃，以減小熱輻射幹擾。對數字集成電路，從（cóng）電磁兼容（róng）性角度看應多選用高噪聲容限的CMOS器件代替低噪（zào）聲容限的TTL器件（jiàn）。選用分布電感較小（xiǎo）的SMP元件，選用高頻特性好、等效串聯電感低的陶（táo）瓷介質電容器、高（gāo）頻無感（gǎn）電容器（qì）、三端電容器和穿心電（diàn）容器等作濾波電容。信號地是指信（xìn）號電流流回信號源的一條低阻抗路徑。在設計中往往由於接地（dì）方法不恰當而產生地環路幹擾（rǎo）和公共阻抗耦合（hé）幹擾。因（yīn）此要合理選用接地方式，接地的方（fāng）式（shì）有單（dān）點接地（dì）、多點接地和混合接地。地環路幹擾：常發生在通過較長電纜連接，地相距較遠的設備之（zhī）間。原因是由（yóu）於地環路電流的存在，使兩個（gè）設備的地電位不同。通常用光電耦合器或（huò）隔離變壓器進（jìn）行“地"隔離，消除地環路（lù）幹擾。由於（yú）隔離變壓器繞組之間（jiān）寄生電容較大，即使采取屏蔽措施的隔離變壓器通常也隻用（yòng）於（yú）1MHZ以（yǐ）下的信號隔離，超過1MHZ時多采用光電（diàn）耦合器隔離。公（gōng）共阻抗耦合：當兩（liǎng）個電路的地電流流過一個（gè）公共阻抗時，就會發生公共阻抗耦合。由於地線是信號回流線，一個電路的工作狀態必然會影響地線電壓，當兩個電路共用一段地線時，地線的電壓就會（huì）同時受到兩個電路工作狀態的影（yǐng）響。可見無（wú）論是地環路幹擾還是公共阻抗耦合問題都是由於（yú）地線阻（zǔ）抗引（yǐn）起的，因此在設（shè）計時一定要考慮盡量降（jiàng）低地線（xiàn）阻抗與感抗。如何減小控製電（diàn）源噪聲：電源線上（shàng）有電（diàn）流突變，就會產生噪聲電壓。在靠近芯片的位置增加解耦電容，能有效減小噪聲。如果是高頻電流負載，則采（cǎi）用多個同容量的高頻電（diàn）容和無感（gǎn）電容並聯能獲得更好的效果。注意電容容量（liàng）並非（fēi）越大越好，主要根（gēn）據其諧振頻率、提供脈（mò）衝電流頻率來選擇。印製板合理的布置地（dì）線將能有效的減（jiǎn）小（xiǎo）印製板的輻射以及提高其（qí）抗輻射（shè）幹擾能力，請注意布置地（dì）線網（wǎng）絡：在雙麵板的兩麵布置最多的平行（háng）地線。
對於一些關（guān）鍵信（xìn）號(如脈衝信號和對外界較敏感的電平信號)的地（dì）線（xiàn）的布置必須（xū）盡量縮小引線長度，減小信號的回（huí）流麵積。如果是雙麵板，地線和信號線可以在印（yìn）製板兩麵並聯平行走線。
若是（shì）多層線路板，且既有數字地又有模擬地，則數字地和模擬（nǐ）地必須布置在同（tóng）一層，減小（xiǎo）它們之間的耦合幹擾。
在實際電路中常發（fā）生公共阻抗耦合，因此要根據實際情況選擇正確的接地方式。
12.1.IGBT，MOSFET等開關元件的驅動脈衝信號（hào）增加一個-5V～-10V的負電平，提高驅動信號的抗幹擾能力。或驅動信號（hào）采（cǎi）用光纖傳輸技術，光纖適宜於遠距離傳輸，具有抗幹.擾（rǎo）.能.力.強的特點。12.2.通過軟件的編（biān）程技術，提高開關電源的抗幹擾能（néng）力，為了防（fáng）止電平信號中的毛刺，引起軟件（jiàn）的誤判斷及誤動作，可以（yǐ）通過多次采樣等數字濾波方（fāng）法來（lái）濾除幹擾信號。本文詳細（xì）分析了隔離式DC/DC變換器存在的電磁幹擾源及其產生機理（lǐ），並詳（xiáng）細介紹了針對其主電路和控製電路的電磁兼容設（shè）計方法，這些方法對其它電子（zǐ）產品的電磁兼容（róng）設（shè）計具（jù）有一定的指導（dǎo）作用。
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