
在電(diàn)磁兼容中,為了對抗靜(jìng)電放電(ESD)的影響,通常需要使用靜電抑製器、TVS二極管、壓敏電阻、瞬態抑製(zhì)二極管和濾波器與屏蔽等。
TVS二(èr)極(jí)管:也稱為瞬態電壓抑製器,它們能在毫秒級別內響應,將靜電放電產生的高電壓鉗位至安全(quán)水平,以保護(hù)設備中的半導體器件。
壓敏電阻:當壓(yā)敏電阻兩端的電壓超過其閾(yù)值時,它的阻值會急劇下(xià)降,從而為靜電放電提供(gòng)一個(gè)低阻抗(kàng)的通路,保護電路不(bú)受損害。
瞬態抑製二極管:它們(men)可以吸收(shōu)或分流高(gāo)能量的電(diàn)流尖峰,包括由靜電放電引起(qǐ)的那些,從而保護設備不受損害。
濾波器與屏蔽:使用EMI濾波器可以減少外界靜電放電對設備的(de)幹(gàn)擾,而良好的屏蔽設計(jì)可以降低靜電放電對內部(bù)電路(lù)的影響。
需要注意的是,選擇哪種器件取決於具體的應用場景和需(xū)要保護的(de)設備類型。在(zài)進行整改(gǎi)時,應綜合考慮設備的工作環境、敏感度(dù)以及可能麵臨的(de)靜電(diàn)放電情況,選(xuǎn)擇合適的器件進行(háng)保護。
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